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J-GLOBAL ID：200903034976303994
光半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024360
Publication number (International publication number)：1994237011
Application date： Feb. 12, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：
【要約】【目的】この発明は、高効率,高出力化を図ることを主要な目的とする。【構成】基板(11)上に、第1クラッド層(12)、量子井戸活性層(13)を順次介してメサ状第2クラッド層(14)を設け、この第2クラッド層(14)を電流ブロック層(16)で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層(13)の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層(13)全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、第1クラッド層、量子井戸活性層を順次介してメサ状第2クラッド層を設け、この第2クラッド層を電流ブロック層で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。
IPC (2)：
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