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J-GLOBAL ID：200903034982543115

シリコン単結晶の引上げ方法

Inventor： 飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991348926
Publication number (International publication number)：1993155682
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 16インチを超える石英るつぼを用いて引き上げられるシリコン単結晶にあっても十分に酸素濃度の低減が図れ、しかも、結晶成長方向の酸素濃度の均一が図れる方法を提供する。【構成】 シリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引き上げるにあたり、結晶回転速度を0.2〜1.05rpm、石英るつぼ回転速度を0.1〜0.6rpmに維持するとともに、直流磁場を水平方向に印加しつつ、酸素濃度が2〜約6×1017(原子/cm3)のシリコン単結晶を引き上げるようにした。【効果】 16インチを超える石英るつぼを用いて引き上げられるシリコン単結晶にあっても十分に酸素濃度の低減が図れる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶をチョクラルスキー法によって引き上げるにあたり、結晶回転速度を0.2〜1.05rpm、石英るつぼ回転速度を0.1〜0.6rpmに維持するとともに、直流磁場を水平方向に印加しつつ、酸素濃度が2〜約6×1017(原子/cm3)のシリコン単結晶を引き上げるようにしたことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208