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J-GLOBAL ID：200903034989622746

化合物半導体気相成長方法

Inventor： 秋田 勝史 ,  岡久 拓司 ,  嶋津 充 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996194211
Publication number (International publication number)：1998041548
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化合物半導体である導電性の基板上に、高品質の化合物半導体のInGaNエピタキシャル層を成長させる方法を提供する。【解決手段】 Inを含有金属とする有機金属とCl<SB>2</SB>ガスを含む第1のガスと、NH<SB>3</SB>ガスを含む第2のガスとを、外部から加熱した反応室55に導入し、基板1上にキャリアガスを用いて気相成長させる方法により、InNからなるバッファ層を形成する。次にHClガス及びGaを含有金属とする有機金属を含む第3のガスと、前記第1のガスとNH<SB>3</SB>ガスを含む第2のガスとを、加熱した反応室55に導入し、前記バッファ層上にキャリアガスを用いてIn<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(ただし、0<x≦1)を気相成長させる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体インジウムガリウム窒素(In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N、ただし、0<x≦1)の気相成長において、インジウム(In)原料としてインジウム(In)を含有金属とする有機金属を用い、該有機金属を塩素(Cl<SB>2</SB>)ガスと同時に反応管内に導入することを特徴とする化合物半導体気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365