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J-GLOBAL ID：200903035009293250

半導体レーザ

Inventor： 森田 克彦
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994170215
Publication number (International publication number)：1996018158
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発振閾値が低く、優れた特性が得られる屈折率導波型の半導体レーザを提供する。【構成】 半導体レーザ16は、基板1上に順次成長されたバッファー層2,クラッド層3,光ガイド層4,活性層5,光ガイド層6,クラッド層7を有し、クロム系のエッチング液を用いてクラッド層7から活性層5近傍までエッチングして形成されたリッジ9を有し、エッチング面にはその上面がリッジ9上面と同一平面になるように形成された活性層5及び光クラッド層6より屈折率の小さい絶縁層10を有し、リッジ9上及び絶縁層10上に成長されたクラッド層11、超格子層12、コンタクト層13を有し、基板1下面にはn型電極14、コンタクト層13上面にはp型電極15が夫々形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上に成長された活性層及び上部クラッド層を含む第一の半導体層を上面から活性層近傍までエッチングして形成したリッジを有し、前記活性層及びエッチングされた前記活性層近傍の層より屈折率が小さく、前記エッチングによるエッチング面から上面を前記リッジ上面と等しくして形成した高抵抗層又は絶縁層を有し、前記リッジ上面及び、前記高抵抗層又は前記絶縁層上面に電極とオーミック接合する第二の半導体層を有し、前記基板下面及び前記第二の半導体層上面に夫々電極を有することを特徴とする半導体レーザ。