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J-GLOBAL ID：200903035015324361

半導体モジュール

Inventor： 上手 清嗣
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995239560
Publication number (International publication number)：1997083083
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】レーザ発振器と変調器とが同一チップに集積された半導体レーザモジュール又は半導体変調器モジュールにおいて、10GHz程度までの変調信号に対するリターンロスを低減し、光波形の劣化を回避できる半導体モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】外付けのドライバーICから変調マイクロ波信号が与えられるリード8aと半導体レーザチップ1の変調信号入力電極との間に設けられたストリップライン6に、3個の抵抗により構成されるT型アッテネータが介装されている。このアッテネータにより外付けドライバーICとの電気的マッチングが改善され、リターンロスを低減することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも変調器が集積され、変調信号入力電極を有する半導体チップと、この半導体チップが搭載されたキャリアと、このキャリアを前記半導体チップとともに収納する収納ケースと、外部から変調信号が与えられるリードと、このリードと前記変調信号入力電極との間を電気的に接続する変調信号伝送路と、この変調信号伝送路内に設けられたアッテネータとを有することを特徴とする半導体モジュール。

IPC (5)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/015 505 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/02

FI (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  G02F 1/015 505 ,  H04B 9/00 W