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J-GLOBAL ID：200903035026236391

不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法

Inventor： 伊原 英雄
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997044521
Publication number (International publication number)：1998236821
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】【目的】超伝導異方性が小さく、高い臨界電流密度(Jc)と、大きい不可逆磁界(Hirr)、擬等方的な、層に垂直方向(この方向をc軸方向、層面内をab軸とする)の長いコヒーレンス長ξc をもち、且つ超伝導臨界温度( Tc ) が例えば100K以上の高温超伝導体を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層の2次元的な層状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成する原子の一部を超伝導性をもつ原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、超伝導層の厚さを大きくして超伝導異方性を低くしたことを特徴とする低異方性高温超伝導体。

Claim (excerpt)：

電荷供給層と超伝導層からなる2次元的な層状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成する原子の一部又は全部を超伝導性をもつ原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、不確定性原理に基づき、超伝導層の厚さを大きくして超伝導異方性を低くしたことを特徴とする低異方性高温超伝導体。

IPC (11)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 13/00 ZAA ,  C01G 15/00 ZAA ,  C23C 14/08 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (11)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C01G 13/00 ZAA Z ,  C01G 15/00 ZAA C ,  C23C 14/08 L ,  C30B 29/22 501 E ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/12 ZAA C ,  H01L 39/24 ZAA B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化物超電導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-155444   Applicant：住友電気工業株式会社, 東北電力株式会社, 松下電器産業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター