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J-GLOBAL ID:200903035036796050
単結晶インゴットの加工方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
平山 一幸
, 海津 保三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003103475
Publication number (International publication number):2004311726
Application date: Apr. 07, 2003
Publication date: Nov. 04, 2004
Summary:
【課題】インゴットのキャリア濃度をウエハ加工前に正しく評価し、ウエハの加工選別で生じる損失を低減させて、インゴットを所望の物性値を有するウエハに加工する単結晶インゴットの加工方法を提供する。【解決手段】単結晶インゴット1を機械研削加工する第1過程と、単結晶インゴット1の結晶成長方位に応じてファセット成長が生じない部分及びファセット成長領域を取り除いた部分のいずれかである単結晶のインゴット側面の結晶学的な面を特定し、その面の表面のみ化学エッチングを行う第2過程と、第2過程で化学エッチングされた表面の特定した面に励起光を照射し、励起光に基づくフォトルミネッセンススペクトルからキャリア濃度を評価する第3過程と、第3過程で化学エッチングを施さない機械研削面を固定面としてスライス加工を行う第4過程とを、順に行う。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
単結晶インゴットを機械研削加工する第1過程と、
単結晶インゴットの結晶成長方位に応じてファセット成長が生じない部分及びファセット成長領域を取り除いた部分のいずれかである単結晶のインゴット側面の結晶学的な面を特定し、その面の表面のみ化学エッチングを行う第2過程と、
この第2過程で化学エッチングされた表面の特定した面に励起光を照射し、この励起光に基づくフォトルミネッセンススペクトルからキャリア濃度を評価する第3過程と、
この第3過程で化学エッチングを施さない機械研削面を固定面としてスライス加工を行う第4過程とを、
順に行うことを特徴とする単結晶インゴットの加工方法。
IPC (7):
H01L21/304
, C30B29/42
, C30B33/00
, C30B33/10
, G01N21/00
, G01N21/63
, H01L21/66
FI (7):
H01L21/304 611B
, C30B29/42
, C30B33/00
, C30B33/10
, G01N21/00 B
, G01N21/63 Z
, H01L21/66 L
F-Term (33):
2G043AA01
, 2G043BA01
, 2G043CA05
, 2G043DA01
, 2G043DA05
, 2G043EA01
, 2G043FA01
, 2G043KA02
, 2G043KA05
, 2G043KA09
, 2G059AA01
, 2G059BB16
, 2G059CC02
, 2G059DD01
, 2G059DD12
, 2G059EE07
, 2G059EE12
, 2G059FF01
, 2G059GG01
, 2G059HH02
, 2G059HH06
, 4G077AA02
, 4G077BE44
, 4G077BE46
, 4G077FG06
, 4G077FG11
, 4G077FG16
, 4G077GA01
, 4G077GA06
, 4M106AA10
, 4M106AA20
, 4M106BA04
, 4M106CB01
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