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J-GLOBAL ID：200903035040414103

半導体リングレーザ及びその製造方法、駆動方法

Inventor： 内田 護 ,  岩崎 達哉
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000215016
Publication number (International publication number)：2002033549
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来の半導体リングレーザは製造が難しく、消費電力が大きく、歩留りが悪い。【解決手段】 半導体基板上に光導波路を備え、リング共振器を構成する半導体リングレーザにおいて、光導波路の周囲に基板平行方向に光学結晶構造を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に光導波路を備えリング共振器を構成する半導体リングレーザにおいて、前記光導波路の周囲に基板平行方向に光学結晶構造を有することを特徴とする半導体リングレーザ。

F-Term (9)：

5F073AA66 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CA17 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA28 ,  5F073DA35