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J-GLOBAL ID：200903035044724026

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 古沢 浩太郎 ,  茨木 晃 ,  林 伸彦 ,  松川 健一 ,  三宅 輝明 ,  後藤 壮謙
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992317523
Publication number (International publication number)：1994164059
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 信頼性が高いリッジ型埋め込み半導体レーザを製造する。【構成】 p型クラッド層6,p型キャップ層7からなるリッジ部を含む全域にn型ブロック層8を成長させた後(d)、n型ブロック層をポリッシングし(e)、その後n型ブロック層8へのp型不純物の拡散によりp型コンタクト層19を形成する(f)。または、(d)の工程後、リッジ部上方のn型ブロック層8のみをエッチング除去し、その後全域にp型コンタクト層を形成する。

Claim (excerpt)：

リッジ型埋め込み半導体レーザを製造する方法において、基板上にダブルヘテロ構造を形成する工程と、該ダブルヘテロ構造の上部をリッジ状に成形する工程と、このリッジ部表面を含む全域にブロック層を形成する工程と、前記リッジ部上のブロック層のみをエッチングにより除去する工程と、露出したリッジ部及び残存するブロック層上にコンタクト層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-305486
  
• 特開昭57-152180
  
• 特開昭64-057782
  
• 特開昭57-096585