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J-GLOBAL ID：200903035045889851

半導体素子の製造方法

Inventor： 田 谷 豊 宏 ,  小 幡 啓 三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994190380
Publication number (International publication number)：1996055823
Application date： Aug. 12, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハのダイシング時等に発生する塵等が半導体ウェハ表面に付着することを確実に防止することができる。【構成】 半導体ウェハ1の表面全面に熱収縮性テープ15を貼付すると共に、半導体ウェハ1の裏面にダイシングテープ2を貼付する。その後にダイヤモンドブレード3によって半導体ウェハ1のダイシングを行う。このダイシングによって得られた半導体チップ4をダイシングテープ2から分離した後に、加熱する。この加熱により熱収縮性テープ15は、収縮して半導体チップ4から簡単に剥離する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの表面に熱収縮性テープを貼付すると共に、上記半導体ウェハの裏面にダイシングテープを貼付し、その後に上記半導体ウェハのダイシングを行い、上記ダイシングによって得られた半導体チップを加熱し、この加熱により上記熱収縮性テープを上記半導体チップから剥離することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/68

FI (4)：

H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/78 P