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J-GLOBAL ID：200903035093852730

半導体発光装置

Inventor： 小屋 賢一 ,  北園 俊郎
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997350479
Publication number (International publication number)：1999186613
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 たとえばAgを混入した導電性のペーストによって発光素子を固定するアセンブリーであっても反射光を有効利用して主光取出し面からの発光輝度を向上させること。【解決手段】 p型層2aとn型層2bの半導体層を積層して電極2a-1,2b-1を形成した発光素子2を、主光取出し面とするp型層2aの表面を発光方向としてリードフレーム1に搭載するとともに導電性ペースト4を介して固定する半導体発光装置において、n型層2bを光透過性とし、このn型層2bが導電性ペースト4に埋没し且つ電極2b-1を形成した面に、電極2b-1と材質が異なる金属層5を形成し、p-n接合域からの光をこの金属層5によって遮断するか主光取出し面側に反射させる。

Claim (excerpt)：

p-n接合の半導体層を積層するとともに主光取出し面及びその反対側の面のそれぞれに電極を形成した発光素子を、主光取出し面を発光方向としてリードフレームまたは基板等に搭載するとともに導電性ペーストを介して固定する半導体発光装置であって、発光素子の主光取出し面側とは反対側の化合物半導体層または半導体基板による積層体を光透過性とし、この積層体が導電性ペーストに埋没し且つ電極を形成した面に、金属層を形成してなる半導体発光装置。