MISトランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186630
Publication number (International publication number)：1995058343
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】十分に厚いシリコン膜を使用しかつ局部酸化によつてトランジスタのチャンネル内のシリコンを薄くするMISトランジスタの製造方法を提供することにある。【構成】非導体上にシリコン技術トランジスタを製造する方法はとくに、シリコンの薄膜(6)を非導体(4)上に実現しかつ次いでトランジスタのチャンネル(26)に設けられた位置に開口(13)を含むマスク(8,10)を実現し;マスクされないシリコンを局部的に酸化(14)し;マスクを除去し;シリコン内にソース(18)およびドレイン(20)を有するイオン注入(16)を実現し、局部酸化がこの注入をマスクするのに使用され;局部酸化を除去し;さしてソースとドレインとの間の薄いゲート非導体および次いでゲートを実現することからなる。

Claim (excerpt)：

チャンネル、該チャンネルの両側のソースおよびドレイン、前記ソースおよび前記ドレインから引き離された前記チャンネル上のゲートからなるMISトランジスタの製造方法において、a)非導体上に薄いシリコン膜を実施し、b)前記チャンネルを設ける位置に開口を含むマスクを前記薄いシリコン膜上に実施し、c)前記シリコン膜を局部的に薄くするようにマスクされない該シリコン膜を厚く局部酸化し、d)前記マスクを除去し、e)前記シリコン膜中にイオンのドレインおよびソース埋め込みを実施し、前記局部酸化がこの埋め込みをマスクするのに使用され、f)前記局部酸化を除去し、g)前記ソースと前記ドレインとの間に薄いゲート非導体を実施し、h)前記ゲート非導体上に前記ゲートを実施する工程からなることを特徴とするMISトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-027770
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-274136 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page