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J-GLOBAL ID:200903035099596850

半導体集積回路の試験方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992003494
Publication number (International publication number):1993190637
Application date: Jan. 13, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】となりあうピンのショート試験を行う項目で複数ピンを同時に測定すること。【構成】複数のDC特性測定器1にて、同一試験において、独立した印加電圧、印加電流及び、それぞれに対応した判定値を与える機能を有する。【効果】となりあうピンのショートテストを複数ピン同時に行うことができる為、テスト時間の短縮が可能となる。
Claim (excerpt):
半導体集積回路の複数ピンのそれぞれにDC特性測定器を接続してそれぞれの該ピンに接続された該半導体集積回路の内部回路の状態を測定する際に、前記複数のDC特性測定器はそれぞれ独立した印加電圧、印加電流および判定値を与える機能を有し、隣合うピンには互いに異なる電圧を印加してピン間のショート状態の測定を可能とした事を特徴とする半導体集積回路の試験方法。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  G01R 31/28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭63-071669

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