Pat

J-GLOBAL ID：200903035105973016

半導体レーザ

Inventor： 今井 秀秋 ,  後藤 広将
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992305257
Publication number (International publication number)：1994152072
Application date： Nov. 16, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化物系半導体からなる短波長半導体レーザを得る。【構成】 Ga1-a-b Ina Alb N半導体からなる活性層4が、活性層4とほぼ格子整合すると共に活性層4よりもバンドギャップが大きくかつ互いに導電型が異なるGa1-x-y Inx Aly N半導体からなるクラッド層3,5で挟まれたサンドイッチ構造を有する半導体レーザとする。

Claim (excerpt)：

Ga1-a-b Ina Alb N(0≦a≦1,0≦b≦0.5)半導体からなる活性層が、該活性層とほぼ格子整合すると共に該活性層よりもバンドギャップが大きくかつ互いに導電型が異なるGa1-x-y Inx Aly N(0≦x≦1,0≦y≦1)半導体からなる二つのクラッド層で挟まれているサンドイッチ構造を具備することを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00