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J-GLOBAL ID：200903035112683899

半導体発光装置

Inventor： 井上 登美男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001373700
Publication number (International publication number)：2003174199
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プリント配線基板に対する穴開け加工を行うことなく、半導体発光装置の薄型化を図る。【解決手段】 半導体発光素子1にサブマウント素子2と複合素子化して機能の拡充を図るとともに、そのサブマウント素子2がクリーム半田の厚み以下に形成されており、プリント配線基板5上の配線電極5a、5bと保持基板3裏面側の金属層3a、3bとの間隔がクリーム半田4a、4bの厚み以下となるため、表面実装時にその間隔にクリーム半田4a、4bが入り込み、両者が接続され、プリント配線基板5上に接合固定される半導体発光装置であり、これにより、プリント配線基板5に対する穴開け加工を行うことなく、半導体発光装置の薄型化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

透明基板の上に半導体薄膜層を積層するとともにこの積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成した半導体発光素子と、2つの電極を持ちこれらのそれぞれを前記p側及びn側の電極に導通させて前記半導体発光素子を接合するサブマウント素子と、前記2つの電極にそれぞれ導通する金属層を少なくとも裏面側に設けた保持基板とを備え、前記保持基板の金属層と印刷塗布するクリーム半田を介してプリント配線基板の電極部とを接続し、プリント配線基板上に接合固定される半導体発光装置において、前記サブマウント素子を、前記クリーム半田の厚み以下に形成したことを特徴とする半導体発光装置。

F-Term (5)：

5F041AA47 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA83