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J-GLOBAL ID：200903035120892057

半導体光フィルタ及びそれを用いた光通信システム

Inventor： 小野 武夫 ,  新田 淳
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992023239
Publication number (International publication number)：1993210071
Application date： Jan. 13, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】フィルタの選択波長同調範囲が大きくとれ、フィルタ同調制御が安定して行なえ、制御が容易であり、素子製造プロセスも簡便である半導体光フィルタである。【構成】半導体バンドパスフィルタはグレーティングによる分布帰還形の半導体レーザ構造を有し、入射された光のうちグレーティングのピッチにより決まる特定の選択波長のみを増幅して通過させる。活性層4の基底準位の飽和利得が、フィルタ端面の反射グレーティングの回折、活性層自体の吸収などによる損失の和より小さい。活性層4の量子井戸の基底準位による単一通過利得が大きい波長域で、分布帰還が生じるようグレーティングが形成されている。この時、この波長域がグレーティングの2次以上の回折で分布帰還するようにグレーティングピッチを形成するなどして、この波長域の損失を大きくする。

Claim (excerpt)：

分布帰還型レーザ構造を有する分布帰還型光フィルタにおいて、量子井戸を有する活性層の基底準位の飽和利得が内部損失よりも小さく、キャリアの増大を許す基底準位以外のエネルギー準位が存在する事を特徴とする半導体光フィルタ。

IPC (4)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18