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J-GLOBAL ID：200903035128824735
多層配線の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992238303
Publication number (International publication number)：1994085070
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 平坦性にすぐれかつエッチングの制御性、再現性にすぐれた多層配線の形成方法を提供する。【構成】 第1の配線層2と第2の配線層11との間に形成された層間絶縁膜3上面より第2の配線層11深さの位置あるいは第1の配線層2上面の位置にエッチングストッパー層4、12を形成する。【効果】 層間絶縁膜3に接続孔8あるいは配線溝9を形成する際、制御性の良いエッチングを再現性よく行え、平坦な多層配線を信頼性良く形成できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された第1の配線層を覆うように層間絶縁膜を形成し、次にこの層間絶縁膜の上面に第2の配線層用の配線溝を形成するとともに上記配線溝から上記第1の配線層に至る接続孔を形成し、しかる後上記配線溝と接続孔とに金属膜を埋め込むことにより上記第1の配線層およびこの第1の配線層と電気的に接続され上記第1の配線層より上方に配置された第2の配線層を備えた多層配線の形成方法において、上記層間絶縁膜上面より上記配線溝深さの位置にエッチングストッパー層を形成する第1の工程と、上記層間絶縁膜上に上記接続孔用のレジストパターンを形成する第2の工程と、上記接続孔用のレジストパターンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記エッチングストッパー層までエッチングし、露出したエッチングストッパー層を除去する第3の工程と、上記接続孔用のレジストパターンを除去したのち上記配線溝用のレジストパターンを形成する第4の工程と、上記配線溝用のレジストパターンをマスクとして上記層間絶縁膜をエッチングし、上記配線溝用のレジストパターンを除去して上記接続孔および上記配線溝を形成する第5の工程と、全面に金属膜を堆積させ、上記接続孔と上記配線溝とを金属膜で埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第6の工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方法。
Patent cited by the Patent：
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