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J-GLOBAL ID：200903035132948490
エッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994176799
Publication number (International publication number)：1996041657
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エッチング速度の均一化と高速化を図ることにより、レジスト膜のエッチング時間を短縮して生産性の向上を図る。【構成】 ノズル18とノズル16とを交互に配列した吹出し手段14を備えた。また、ノズル18の開口面積S1 とノズル16の開口面積S2 との比がS1 ≧2・S2 になるように設定した。そして、ノズル18を介して真空容器11内にH2 Oガスを供給し、ノズル16を介して真空容器11内にフッ素元素を含むガスを供給する。これにより、レジスト膜全域のエッチング速度の均一化を図ると共に均一化されたエッチング速度を速くする。
Claim (excerpt)：
有機化合物膜が表面に形成された被処理物が収容された真空容器内に、H2 Oガスおよびフッ素元素を含むガスを供給して前記有機化合物膜を除去するエッチング装置において、H2 Oガスを前記真空容器内に供給する第1のノズルと、フッ素元素を含むガスを前記真空容器内に供給する第2のノズルとを交互に配列し、かつ、前記第1のノズルの開口面積S1 と前記第2のノズルの開口面積S2 との比を2F+H2 O→O+2HFとなるように設定した吹出し手段を備えたことを特徴とするエッチング装置。
Patent cited by the Patent：
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