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J-GLOBAL ID：200903035134648345
半導体のドライエッチング方法及びその半導体のドライエッチング装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242422
Publication number (International publication number)：1994097126
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 AlやAl合金から成る配線層占有率の大小に係わらずに、異方性エッチング後の形状が垂直または順テーパの形状が得られる方法とその装置を提供する点。【構成】 被処理物に絶えず炭素原子を供給する手段と、炭素原子を生ずる部材を被処理物に隣接して配置する装置にあり、被処理物である配線層に垂直なまたは順テーパの形状が得られるので、信頼性の向上や、その上に堆積する層間絶縁物層のカバーレイジ劣化を防止することができる。
Claim (excerpt)：
電極を備える反応室に一定の気体雰囲気を形成する工程と,被処理物を覆ってエッチングマスクを設置する工程と,前記電極を稼働して生ずるプラズマやイオンによりエッチングマスクと被処理物の境界に前記エッチングマスク以外からカーボン原子を補給する工程とを具備すること特徴とする半導体ドライエッチング方法
IPC (2)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
