Pat
J-GLOBAL ID：200903035139263000
アクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993183325
Publication number (International publication number)：1995020475
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：
【要約】【目的】 能動素子やスペーサの破壊を招くことなく、的確に両基板間のギャップを規制して所定の液晶層厚を確保することができるアクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子を提供する。【構成】 薄膜トランジスタ3および画素電極4が形成された基板1と、対向電極30が形成された基板2とが、枠状のシール材32を介して重合接着され、前記両基板1,2間に強誘電性液晶または反強誘電性液晶LCが封入され、かつその液晶層厚を一定に規制する多数の粒状のスペーサ33が前記両基板1,2間に配設されているアクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子において、前記スペーサ33が、粒径が1〜3μmで、かつ0.4gf以上の圧力が加わったときに破壊せずに0.4μm以上変形する材料で形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
能動素子および画素電極が形成された基板と、対向電極が形成された基板とが、枠状のシール材を介して重合接着され、前記両基板間に強誘電性液晶または反強誘電性液晶が封入され、かつその液晶層厚を一定に規制する多数の粒状のスペーサが前記両基板間に配設されているアクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子において、前記スペーサが、粒径が1〜3μmで、かつ0.4gf以上の圧力が加わったときに破壊せずに0.4μm以上変形する材料で形成されていることを特徴とするアクティブマトリックス型強誘電性液晶表示素子。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
