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J-GLOBAL ID：200903035148165606
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050218
Publication number (International publication number)：1993251407
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】バイポーラトランジスタやMOSトランジスタにおいて、単結晶シリコン基板上の多結晶シリコンを選択性良くエッチングする。【構成】単結晶シリコン基板2上に成長された多結晶シリコン膜3からなるベース電極とそのベース電極の一部を除去し、その領域にエミッタを形成する自己整合的なバイポーラトランジスタにおいて、多結晶シリコン膜3からなるベース電極の一部を除去する方法として、その除去したい領域の多結晶シリコン膜3にリンあるいはヒ素をコントロールよくイオン注入し、塩素を主体としたガスによる反応性イオンエッチングを行なう。【効果】リン(ヒ素)注入領域のエッチングレートをシリコン基板1に対して2倍近くにする事により、基板1と選択性をもたせる事ができる。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板上に直接披着した多結晶シリコン膜の所定領域を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、少なくとも前記多結晶シリコン膜の前記所定領域をN型にし、しかる後に塩素を主体としたガスを用いて前記所定領域に反応性イオンエッチングを行なう事を特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H01L 21/331
, H01L 29/73
