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J-GLOBAL ID：200903035181972614

多層磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Inventor： 河内山 彰
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996077994
Publication number (International publication number)：1997270549
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 バイアス磁界を発生する層を外部に設ける必要がなく、かつ良好なバイアス磁界が印加された多層磁気抵抗効果膜を提供する。また、薄型化が達成されるとともに微弱な磁界や微少な磁界変化を高感度に検出することを可能とした磁気抵抗効果素子を提供する。更に、薄型化されるとともに高密度記録された記録媒体を正確に再生することを可能とした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 多層磁気抵抗効果膜1は、磁性層8と非磁性導体層7とが積層された多層膜4と、この多層膜4に近接して設けられ、軟磁性膜を有する軟磁性層6とを備える。この多層磁気抵抗効果膜1では、軟磁性層6が多層膜4に対してバイアス磁界を印加する。

Claim (excerpt)：

磁性層と非磁性導体層とが積層された多層膜と、上記多層膜に近接して設けられ、軟磁性材料を有する軟磁性層と、を備え、上記軟磁性層が上記多層膜に対してバイアス磁界を印加することを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16