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J-GLOBAL ID：200903035194294151

ショットキゲート型電界効果トランジスタ

Inventor： 松野下 誠
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991008268
Publication number (International publication number)：1994021101
Application date： Jan. 28, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】半絶縁性半導体基板の一主面に動作層が形成され、前記動作層にリセスが形成され、前記リセス領域にゲート電極が形成され、前記リセスの外側に高濃度オーミック層を隔ててソース電極およびドレイン電極が形成されたショットキゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記リセス領域に高さ50〜100nm、幅0.1〜0.3μmの凸部を有することを特徴とするショットキゲート型電界効果トランジスタ。【効果】ゲート電極とドレイン電極との間のリセス領域に凸部を設けた。その結果、疑似的にリセス幅を短くして高出力化が可能になり、電極間隔を拡げることにより高耐圧化が可能になった。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板の一主面に動作層が形成され、前記動作層にリセスが形成され、前記リセス領域にゲート電極が形成され、前記リセスの外側に高濃度オーミック層を隔ててソース電極およびドレイン電極が形成されたショットキゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記リセス領域に高さ50〜100nm、幅0.1〜0.3μmの凸部を有することを特徴とするショットキゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812