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J-GLOBAL ID：200903035201447279

高周波回路及び該高周波回路を用いたシールディドループ型磁界検出器

Inventor：
玉置 尚哉

About 玉置 尚哉

, 
増田 則夫

About 増田 則夫


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 鈴木 康夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999276872
Publication number (International publication number)：2001102817
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ストリップ線路のシールド性能を強化して周囲電磁ノイズの影響やクロストーク等の電磁的な干渉を抑制する。【解決手段】 多層回路基板に形成されたトリプレートのストリップ線路103において、内導体101を挟む二つのグランド102のパターン幅を内導体のパターン幅の10倍以下程度の有限の幅とし、またグランド102の幅方向の両端において二つのグランドをヴィア107を介して短絡し、そのヴィアをストリップ線路の伝送方向となる長手方向に複数設ける。隣接するストリップ線路104も同様の構成とする。従って各ストリップ線路の断面は、一つの内導体が、それを挟む二つのグランドと両側のヴィアで囲まれた形状となるので、周囲電磁ノイズの影響やクロストーク等の電磁的な干渉が抑制される。
Claim (excerpt)：
多層回路基板に形成されたトリプレートのストリップ線路を含む高周波回路において、前記ストリップ線路は、前記多層回路基板の露出していない一つの層に形成された内導体と、前記内導体に沿い、そのパターン幅が前記内導体のパターン幅よりも広い有限の幅を有して前記内導体を挟む二つのグランドと、前記ストリップ線路の伝送方向となる長手方向に沿って設けられるとともに、前記グランドの幅方向の両端部において前記二つのグランドを短絡する複数のヴィアとからなり、前記ヴィアを含む断面において、前記内導体がそれを挟む前記二つのグランドと前記グランドの両側に設けられた前記ヴィアで囲まれた構成となっていることを特徴とする高周波回路。
IPC (3)：
H01P 3/08 ,  G01R 29/08 ,  G01R 33/02
FI (3)：
H01P 3/08 ,  G01R 29/08 F ,  G01R 33/02 B
F-Term (8)：
2G017AA01 ,  2G017AC01 ,  2G017AC03 ,  2G017AD04 ,  5J014CA08 ,  5J014CA23 ,  5J014CA43 ,  5J014CA54
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • トリプレート型平面アンテナ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-241399   Applicant：日本無線株式会社
  • 平衡不平衡変換器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-040771   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭56-154804
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