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J-GLOBAL ID：200903035217731538

通信装置

Inventor： ラムダニ、ジャマル ,  ドルーパッド、ラビンドラナス ,  ヒルト、リンディ エル. ,  アイゼンバイザー、カート ウィリアム
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001559060
Publication number (International publication number)：2003523084
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Jul. 29, 2003
Summary：

【要約】最初にシリコンウェハ(22)上で調整緩衝層(24)を成長させることによって、化合物半導体材料の高品質エピタキシャル層を、大きいシリコンウェハを覆うように成長させることができる。調整緩衝層は、酸化ケイ素の非晶質境界層(28)によってシリコンウェハから空間的に分離された単結晶酸化物の層である。非晶質境界層は応力を消散させ、それによって高品質単結晶酸化物調整緩衝層が成長することができる。調整緩衝層は、下層のシリコンウェハおよび上層の単結晶化合物半導体層(26)の両方に格子整合している。調整緩衝層と下層のシリコン基板との間の格子不整合は、非晶質境界層で対応している。

Claim (excerpt)：

調整緩衝層と、 この調整緩衝層を覆う化合物半導体部分と、同半導体部分は、増幅器、変調回路及び復調回路から選択された機能を有することと、 前記機能に接続されたデジタル論理部分を有するIV族半導体部分とからなる集積回路を有した通信装置。

IPC (13)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/732

FI (9)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/15 B ,  H01L 27/15 C ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 27/06 F ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 29/72 P

F-Term (38)：

5F003BA23 ,  5F003BB01 ,  5F003BB06 ,  5F003BC08 ,  5F003BE01 ,  5F003BJ15 ,  5F038CA11 ,  5F038CA16 ,  5F038DF02 ,  5F038DF03 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC05 ,  5F048AC07 ,  5F048BA02 ,  5F048BA12 ,  5F048BA19 ,  5F048BC06 ,  5F048BF11 ,  5F048BH01 ,  5F048CA03 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F082AA06 ,  5F082AA08 ,  5F082BA02 ,  5F082BA03 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082CA01 ,  5F082CA05 ,  5F082DA07