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J-GLOBAL ID:200903035223523890

軟磁性薄膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991206051
Publication number (International publication number):1993047552
Application date: Aug. 16, 1991
Publication date: Feb. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 高温での熱処理後にも低い保磁力を示し、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。【構成】 Feベース軟磁性薄膜に、適量の酸素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、酸素の導入量は、30原子%以下とする。Feベース軟磁性薄膜は、Fe単独からなるものであってもよいし、FeにSi、Al、Ti、Ta、Nb、Ga、V、W、Yから選ばれた少なくとも1種を添加したものであってもよい。
Claim (excerpt):
(Fea Mb )100-x Ox 〔ただし、MはSi、Al、Ti、Ta、Nb、Ga、V、W、Yより選ばれた少なくとも1種を表し、a,b,xは各元素の割合(原子%)を表す。〕なる組成式で表され、その組成範囲が70≦a≦1000≦b≦300≦x≦30a+b=100であるとともに、平均結晶粒径が600Å以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (3):
H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  H01F 41/18

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