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J-GLOBAL ID：200903035230662855

投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 吽野 靖行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992179410
Publication number (International publication number)：1993347239
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 露光光吸収によるレンズの熱的変化に伴う光学特性を補正し、高解像度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの周辺部を加熱する加熱手段と該加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを利用して該レンズの温度分布を制御したこと。

Claim (excerpt)：

第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの周辺部を加熱する加熱手段と該加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを利用して該レンズの温度分布を制御したことを特徴とする投影露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 H