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J-GLOBAL ID：200903035245156476

第III-V族化合物半導体の研磨剤とその供給方法

Inventor： 目▲崎▼ 義雄
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998104092
Publication number (International publication number)：1999283943
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaAs化合物半導体ウエハの表面にピット状の欠陥が生じるのを防止し、平坦度を確保することができ、研磨速度を向上させた研磨剤と、研磨速度のばらつきを防止することが可能な研磨剤の供給方法を提供する。【解決手段】 GaAs化合物半導体の研磨剤は、アルカリ金属の塩素化イソシアヌル酸塩を5〜40重量%、アルカリ金属の燐酸塩を5〜25重量%、アルカリ金属の炭酸塩を0.5〜10重量%、アルカリ金属の硫酸塩を1〜20重量%、コロイダルシリカを30〜85重量%含む。研磨剤の供給方法は、アルカリ金属の塩素化イソシアヌル酸塩を含む第1の水溶液と、アルカリ金属の燐酸塩と炭酸塩と硫酸塩とを含む第2の水溶液と、コロイダルシリカを含む第3の水溶液とを別々に準備し、研磨前に第1と第2と第3の水溶液を混合して、GaAs化合物半導体のウエハの表面に供給する。

Claim (excerpt)：

アルカリ金属の塩素化イソシアヌル酸塩を5重量%以上、40重量%以下、アルカリ金属の燐酸塩を5重量%以上、25重量%以下、アルカリ金属の炭酸塩を0.5重量%以上、10重量%以下、アルカリ金属の硫酸塩を1重量%以上、20重量%以下、シリカ粒子を30重量%以上、85重量%以下含有する、第III-V族化合物半導体の研磨剤。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  C09K 3/14 550

FI (3)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 E ,  C09K 3/14 550 E