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J-GLOBAL ID：200903035248834360

単一波長受光素子

Inventor： 高橋 健 ,  海野 恒弘 ,  隈 彰二
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231688
Publication number (International publication number)：1995086630
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 単一波長の光を低雑音で受光することができ、しかも安価な単一波長受光素子を提供する。【構成】 化合物半導体基板上にダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル層を積層し、エピタキシャル層の上に高エネルギーの光を吸収するフィルタ層14を成長させることによりエピタキシャルウェーハを形成し、エピタキシャルウェーハの表面に電極15、16を形成することにより作製される受光素子において、フィルタ層14の厚さが、フィルタ層14の吸収端波長光に対する吸収係数をαcm-1としたときに(ln500)/α以上であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上にダブルヘテロ構造を有するエピタキシャル層を積層し、該エピタキシャル層の上に高エネルギーの光を吸収するフィルタ層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを形成し、該エピタキシャルウェーハの表面に電極を形成することにより作製される受光素子において、前記フィルタ層の厚さが、前記フィルタ層の吸収端波長光に対する吸収係数をαcm-1としたときに(ln500)/α以上であることを特徴とする単一波長受光素子。