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J-GLOBAL ID：200903035276701200

光導波路の製造方法

Inventor： 立畠 直樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003080274
Publication number (International publication number)：2004287173
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】本発明は小型化に対応し、かつ微細化コアパターンが作製できる光導波路の製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】下部クラッド層2の上にコア層5を形成し、このコア層5の上に少なくとも80wt%以上のタングステンおよびシリコンとを含む材料からなるマスクパターン8を形成し、ドライエッチングによりコアパターン3を形成する光導波路の製造方法であり、タングステンを80wt%以上含むようにすることにより、長時間のドライエッチングにおいてマスクパターン8の周縁部が取り除かれないため、コアパターン3の側壁の垂直性を高めることができ、微細化が実現できる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

下部クラッド層上にコア層を形成し、このコア層上に少なくとも80wt%以上のタングステンおよびシリコンとを含む材料からなるマスクパターンを形成し、ドライエッチングによりコアパターンを形成する光導波路の製造方法。

IPC (1)：

G02B6/13

FI (1)：

G02B6/12 M

F-Term (6)：

2H047KA03 ,  2H047PA04 ,  2H047PA24 ,  2H047QA03 ,  2H047QA04 ,  2H047QA07