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J-GLOBAL ID：200903035295385352
高品質半導体材料製造のためのマイクロ波励起方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994517091
Publication number (International publication number)：1996506215
Application date： Jan. 13, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：
【要約】100%かそれに近い飽和モードのプラズマ(30)を発生させるのに十分なパワーのもとで、マイクロ波発生装置(24)を経て得られるマイクロ波エネルギーを用いてプロセス・ガスを励起し、および堆積速度を100%飽和モードの操作で達成される値よりも低くするために基板(28)への堆積種のアクセスを妨げることにより、マイクロ波励起グロー放電堆積プロセス中で高品質半導体材料を堆積する。
Claim (excerpt)：
高品質半導体材料のマイクロ波励起堆積方法において、 堆積チャンバを用意する工程と、 前記堆積チャンバ内に基板を配置する工程と、 少なくとも一つの半導体前駆体材料を含むプロセス・ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、 前記プロセス・ガスを予め選定された圧力に維持する工程と、 前記堆積チャンバ内にマイクロ波エネルギーを導入するために作動可能にマイクロ波電力源を用意する工程と、 前記プロセス・ガスからプラズマを生成するために選定されたレベルに前記マイクロ波電力源を励起し、前記プラズマに第1の堆積速度で前記基板上に半導体材料層を堆積するために十分な堆積種の濃度を持たせる工程と、 前記堆積種の前記基板へのアクセスを制御して、前記基板への半導体材料の実際の堆積速度を前記第1の堆積速度より小とする工程と を含むことを特徴とするマイクロ波励起堆積方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, B05D 5/12
, C23C 16/50
Cited by examiner (7)
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