透明導電膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：米田潤三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996261345
Publication number (International publication number)：1998083718
Application date： Sep. 10, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】電気抵抗率の低い透明導電膜からなる微細パターンを容易に形成することのできる透明導電膜の形成方法を提供する。【解決手段】耐熱性基板上に、加熱によって酸化物となるインジウム化合物、加熱によって酸化物になる錫化合物、放射線感応性樹脂、および、液媒体とを含む透明導電膜形成用組成物、もしくは、光に反応する官能性基あるいは部位を有するインジウム化合物、光に反応する官能性基あるいは部位を有する錫化合物、および、液媒体とを含む透明導電膜形成用組成物を塗工し、乾燥成膜した後、この被膜をパターン状に放射線露光し現像した後に現像物を加熱処理して透明導電膜とし、さらに、この透明導電膜に波長400nm以下の光を照射することにより、電気抵抗率の低いパターニングされた透明導電膜を形成する。

Claim (excerpt)：

加熱によって酸化物となるインジウム化合物、加熱によって酸化物になる錫化合物、放射線感応性樹脂、および、液媒体とを含む透明導電膜形成用組成物を耐熱性基板上に塗工し、乾燥成膜する工程、形成された被膜をパターン状に放射線露光して現像する工程、現像物を加熱処理して透明導電膜とする工程、および、加熱処理で形成された透明導電膜に波長400nm以下の光を照射する工程を含むことを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (3)：

H01B 5/14 , C23C 18/02 , G02F 1/1343

FI (3)：

H01B 5/14 , C23C 18/02 , G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平2-109207
特開昭55-020226
特開昭62-126506

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