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J-GLOBAL ID：200903035302850139

太陽電池の製造方法

Inventor： 北條 義之 ,  薦田 智久
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002215237
Publication number (International publication number)：2004056057
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】熱酸化法のような高温プロセスを用いず、低温で熱酸化法と同程度の表面パッシベーション特性をもつ太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、第一導電型のシリコン基板の受光面側に第二導電型の不純物をドーピングすることにより、pn構造を有したシリコン基板において、該基板の受光面側に、少なくとも酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を行ない、該プラズマ工程の後に、酸化膜材料を含む塗料を塗布し、乾燥し、焼成して酸化膜を形成する工程をさらに行なうことを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第一導電型のシリコン基板の受光面側に第二導電型の不純物をドーピングすることにより、pn構造を有したシリコン基板において、 該基板の受光面側に、少なくとも酸素を含むガスを用いてプラズマ処理を行ない、その後、酸化膜材料を含む塗料を塗布し、乾燥し、焼成して酸化膜を形成する工程を行なうことを特徴とする、太陽電池の製造方法。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 F

F-Term (7)：

5F051AA02 ,  5F051BA18 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA09