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J-GLOBAL ID：200903035303888709

半導体デバイス製造装置

Inventor： 桜井 哲真 ,  土肥 俊郎 ,  林 米次
Applicant, Patent owner： エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 ,  土肥 俊郎 ,  ロデール・ニッタ株式会社
Agent (1)： 辻本 一義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039049
Publication number (International publication number)：1994252110
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低発塵化しうる半導体デバイス製造装置を提起すること。【構成】 半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、(メカノケミカル)ポリシングまたは(メカノケミカル)ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有すること。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、(メカノケミカル)ポリシングまたは(メカノケミカル)ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有することを特徴とする半導体デバイス製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-011199