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J-GLOBAL ID：200903035313801148
位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073187
Publication number (International publication number)：1995281414
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】本発明は、高精度な単層ハーフトーン型位相シフトパターン形成が可能なマスクブランク及びマスクとその製造方法を提供することを目的とする。【構成】透明基板(11)上に、タンタル、タンタル酸化物、窒化物などのいずれかからなる半透明遮光層(13)を形成し、その上にクロム、クロム酸化物、窒化物などのいずれかからなる導電層(15)を形成し、さらにその上にレジストパターン(18)を形成し、この導電層(15)をエッチングして導電層パターン(16)を形成し、前記レジストパターン(18)を剥離して、導電層パターン(16)をマスクとして半透明遮光層(13)をエッチングして、半透明遮光パターン(14)を形成したことを特徴とする単層ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
Claim (excerpt)：
透明基板上に半透明遮光層を有し、その上に導電層を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透明遮光層が、タンタル、タンタルの酸化物、タンタルの窒化物、あるいはタンタルの酸窒化物のうちいずれか一つよりなることを特徴とする単層ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
