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J-GLOBAL ID：200903035316126182

面発光型半導体レーザ

Inventor： 古川 幸生
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011791
Publication number (International publication number)：1998200200
Application date： Jan. 06, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】特別な電流狭窄構造が不要な面発光型半導体レーザである。【解決手段】活性層16を含む半導体層、これの両側に設けられた第1、第2の多層反射膜18、12、活性層16に電流を注入するための電極24、26とからなる垂直共振器型面発光型半導体レーザである。半導体層の第1の多層反射膜20と接する面が平面状の第2の多層反射膜側12に中心点を持つ所定の曲率半径からなるほぼ球面或はシリンドリカル面を含んでおり、半導体層のほぼ球面或はシリンドリカル面上に第1の多層反射膜20が形成されている。第1の多層反射膜20の中央部に半導体層と電極24とを電気的に接触させるためのコンタクト領域28が設けられている。第2の多層反射膜側には光取り出し用の窓があけられた電極26が設けられている。

Claim (excerpt)：

活性層を含む半導体層、該半導体層の両側に設けられた第1、第2の多層反射膜、活性層に電流を注入するための電極とから成る垂直共振器型面発光型半導体レーザにおいて、該半導体層の該第1の多層反射膜と接する面が該第2の多層反射膜側に中心点を持つ所定の曲率半径からなるほぼ球面或はシリンドリカル面を含んでおり、該半導体層のほぼ球面或はシリンドリカル面上に該第1の多層反射膜が形成されており、該第1の多層反射膜の中央部に該半導体層と第1の多層反射膜側の電極とを電気的に接触させるためのコンタクト領域が設けられており、該第2の多層反射膜は平面で構成されており、前記第2の多層反射膜側には光を取り出すための窓が開けられた電極が設けられていることを特徴とする面発光型半導体レーザ。