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J-GLOBAL ID：200903035316382340

半導体素子の製造方法および半導体レーザ素子

Inventor： 栗原 香
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 丸山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389280
Publication number (International publication number)：2002190648
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 V族脱離、あるいはV族置換に起因する結晶性の低下、歪変成層の形成を防ぐ結晶の成長方法を得る。【解決手段】 複数の異なるV族元素を含む積層構造を有する半導体素子において、メサ側面に異なるV族元素により構成される層を露出させて有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を行う第1の結晶成長工程と、有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を用いて行う工程中の半導体基板の昇温時に、V族元素を含むガスより蒸気圧のより小さいV族原料を導入するV族原料導入工程と、有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を再度行う第2の結晶成長工程とを有して構成される。蒸気圧の小さいV族元素、例えばSbを表面に供給することによって安定な表面再配列構造が形成され、V族脱離、あるいはV族置換による結晶性の劣化を防ぐことが可能になる。

Claim (excerpt)：

複数の異なるV族元素を含む積層構造を有する半導体素子において、メサ側面に異なるV族元素により構成される層を露出させて有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を行う第1の結晶成長工程と、前記有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を用いて行う工程中の半導体基板の昇温時に、前記V族元素を含むガスより蒸気圧のより小さいV族原料を導入するV族原料導入工程と、前記有機金族気相結晶成長法(MOVPE法)の結晶成長を再度行う第2の結晶成長工程とを、有して構成されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227

FI (4)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227

F-Term (23)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045EE11 ,  5F045HA12 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05