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J-GLOBAL ID：200903035320701825

半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法

Inventor： チャールズ・ターナー ,  ランディール・ピー・エス・タッカー
Applicant, Patent owner： マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994140710
Publication number (International publication number)：1995014797
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、表層部の面の粗いポリシリコン層と底部ポリシリコン層に、より均一なドーピングを施すことができる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法は、多結晶シリコン層(30)を、半導体基板(10)の他の層とは独立に、均一にドーピングする。本発明の方法においては、チャンバ内に、ポリシリコン層(15)の上に形成された二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する。ついで、二酸化シリコン層の上に、その場でドーピングを施した表面の粗いシリコン層(30)を形成する。これは、急熱化学蒸着法または低圧化学蒸着法により、二酸化シリコン層(20)の上にシリコン層(30)を蒸着し、このシリコン層(30)を、ソースガスとドーパントガス、およびエネルギーに曝すことによって、好ましくはその場で均一にドーピングされた底部ポリシリコン層(15)と表面の粗いポリシリコン層(30)を形成するものである。

Claim (excerpt)：

半球粒状面性多結晶シリコン(30)に均一にドーピングする方法であって、チャンバ内に、第1のポリシリコン層(15)とこの第1のポリシリコン層(15)の上に二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する工程と、前記二酸化シリコン層(20)をそのままの状態において、この二酸化シリコン層(20)の上にアモルファスシリコン層(30)を蒸着する工程と、真空アニーリングによって、前記アモルファスシリコン層(30)の面を粗くする工程と、前記表面の粗いアモルファスシリコン層(30)をエネルギーとガスに曝すことによって、この表面の粗いアモルファスシリコン層(30)にドーピングを施す工程を含む方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-278566
  
• 特開平3-263370
  
• 特開平4-127519
  
• 特開平4-196435