半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田澤博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994140710
Publication number (International publication number)：1995014797
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、表層部の面の粗いポリシリコン層と底部ポリシリコン層に、より均一なドーピングを施すことができる方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の方法は、多結晶シリコン層(30)を、半導体基板(10)の他の層とは独立に、均一にドーピングする。本発明の方法においては、チャンバ内に、ポリシリコン層(15)の上に形成された二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する。ついで、二酸化シリコン層の上に、その場でドーピングを施した表面の粗いシリコン層(30)を形成する。これは、急熱化学蒸着法または低圧化学蒸着法により、二酸化シリコン層(20)の上にシリコン層(30)を蒸着し、このシリコン層(30)を、ソースガスとドーパントガス、およびエネルギーに曝すことによって、好ましくはその場で均一にドーピングされた底部ポリシリコン層(15)と表面の粗いポリシリコン層(30)を形成するものである。

Claim (excerpt)：

半球粒状面性多結晶シリコン(30)に均一にドーピングする方法であって、チャンバ内に、第1のポリシリコン層(15)とこの第1のポリシリコン層(15)の上に二酸化シリコン層(20)を有する半導体基板(10)を用意する工程と、前記二酸化シリコン層(20)をそのままの状態において、この二酸化シリコン層(20)の上にアモルファスシリコン層(30)を蒸着する工程と、真空アニーリングによって、前記アモルファスシリコン層(30)の面を粗くする工程と、前記表面の粗いアモルファスシリコン層(30)をエネルギーとガスに曝すことによって、この表面の粗いアモルファスシリコン層(30)にドーピングを施す工程を含む方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-278566
特開平3-263370
特開平4-127519

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