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J-GLOBAL ID：200903035333092747

フォトマスクブランク

Inventor： アルペイ,ハッキ,ウフク ,  フレンチ,ロジャー,ハークエイル ,  カルク,フランクリン,ロード
Applicant, Patent owner： イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994512242
Publication number (International publication number)：1996503557
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】少なくとも0.001の透過度を持ち、金属成分と誘電体成分との組合せを主成分とする光学的に不均質な減衰膜から成る、透過性埋込移相器-フォトマスクブランクを開示する。該膜の一方の表面は他方の表面より高い金属成分含量を持ち、消衰係数の変化状態は膜の厚さ方向に徐々である。該消衰係数の変化状態と膜厚は選ばれた波長で約180°(またはその奇数倍)の位相偏移を与えるように選ばれる。

Claim (excerpt)：

少なくとも0.001の透過度を持ち、金属成分と誘電体成分との組合せを主成分とする光学的に不均質な減衰膜から成る、選ばれた波長用の透過性埋込移相器-フォトマスクブランクにおいて、該膜の一方の表面は他方の表面より高い金属成分含量を持ち、消衰係数の変化状態は膜の厚さ方向に徐々であり、該変化状態と膜厚は該選ばれた波長で約180 ゚またはその奇数倍の位相偏移を与えるように選ばれることを特徴とする透過性埋込移相器-フォトマスクブランク。

IPC (2)：

G03F 1/14 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-242252
  
• 特開平2-242252
  
• 特開平2-242252