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J-GLOBAL ID：200903035334780760
集束イオンビームによるパターン修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344588
Publication number (International publication number)：1993204135
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、集束イオンビームによるパターン修正方法に関し、集束イオンビームによる欠陥パターン修正の際に、修正する欠陥パターンの周辺のパターンへの再付着の問題を回避して、パターンの寸法精度の劣化を防止する優れたパターン修正方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のパターン修正方法は、修正すべき欠陥パターンを集束イオンビームで除去する場合に、修正すべき欠陥パターンに隣接するパターンからより離れた領域から先に除去し、さらに順次隣接するパターンにより近い領域へと除去してゆく工程を含むように構成する。あるいは、修正すべき欠陥パターンに隣接するパターンに近い周辺部を残して除去し、さらに、その後、該周辺部を除去する工程を含むように構成する。
Claim (excerpt)：
基板(5)上に形成された被加工物の欠陥パターン(11)を集束イオンビーム(3)を照射して除去して修正する方法であって、修正すべき欠陥パターン(11)を前記集束イオンビーム(3)で除去する場合に、該修正すべき欠陥パターン(11)に隣接するパターン(10)からより離れた領域から、該隣接するパターン(10)により近い領域の順に除去してゆく工程を含む集束イオンビームによるパターン修正方法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, H01J 37/30
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 W
, H01L 21/30 331 M
