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J-GLOBAL ID：200903035341403441
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149539
Publication number (International publication number)：1993342892
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 フラッシュメモリにおける消去動作を改良した不揮発性半導体記憶装置に関し、メモリセルの任意の1ビット消去を行えるようにすることを目的とする。【構成】 フローティングゲートを有する複数のメモリセル用MISトランジスタMCで構成し、該各フローティングゲートの電荷状態によりそれぞれ2値の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、前記各メモリセル用MISトランジスタMCのソースを各ビット線毎に設けられるソース線SL1 〜SLm に接続し、該各ソース線SL1 〜SLm にそれぞれ電圧制御回路VC1 〜VCm を接続するように構成する。
Claim (excerpt)：
フローティングゲートを有する複数のメモリセル用MISトランジスタ(MC)で構成し、該各フローティングゲートの電荷状態によりそれぞれ2値の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置であって、前記各メモリセル用MISトランジスタ(MC)のソースを各ビット線毎に設けられるソース線(SL1〜SLm ) に接続し、該各ソース線(SL1〜SLm ) にそれぞれ電圧制御回路(VC1〜VCm ) を接続するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 C
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
