Pat
J-GLOBAL ID:200903035341766013
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000089286
Publication number (International publication number):2001274389
Application date: Mar. 28, 2000
Publication date: Oct. 05, 2001
Summary:
【要約】【課題】MOSトランジスタのエクステンションの接合深さを容易に浅くできるプロセスを実現すること。【解決手段】シリコン基板1上に多結晶シリコン膜4を形成し、その上に通常通りにダミーゲート7,8、ゲート側壁絶縁膜9を形成する。次にダミーゲート7,8、ゲート側壁絶縁膜9をマスクに用いてイオン注入を行い、通常とは逆に深いソース/ドレイン領域11p,11nを先に形成する。この後、深いソース/ドレイン領域11p,11n中の不純物を活性化するための高温熱処理を行う。このとき、ソース/ドレイン領域11p,11n中の不純物が多結晶シリコン膜4を介してゲート側壁絶縁膜9下の基板表面に固相拡散し、非常に浅く急峻な濃度プロファイルを持つエクステンション13p,13nが形成される。
Claim (excerpt):
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の側壁に形成された側壁絶縁膜と、この側壁絶縁膜と前記半導体基板との間に形成された多結晶半導体膜と、この多結晶半導体膜下の前記半導体基板の表面に形成され、ソース/ドレイン領域の一部を構成する拡散領域とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6):
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/43
, H01L 29/786
FI (8):
H01L 29/78 301 L
, H01L 27/08 321 E
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/46 R
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 617 J
F-Term (128):
4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB18
, 4M104BB20
, 4M104BB30
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD03
, 4M104DD04
, 4M104DD11
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD43
, 4M104DD64
, 4M104DD75
, 4M104DD80
, 4M104DD82
, 4M104DD84
, 4M104EE03
, 4M104EE16
, 4M104FF01
, 4M104FF16
, 4M104GG14
, 4M104HH14
, 5F040DA10
, 5F040DA13
, 5F040DB03
, 5F040DC01
, 5F040EC04
, 5F040EC08
, 5F040EC10
, 5F040ED03
, 5F040EF02
, 5F040EF11
, 5F040EH02
, 5F040EJ03
, 5F040EK01
, 5F040EK05
, 5F040EL02
, 5F040FA02
, 5F040FA05
, 5F040FA07
, 5F040FA09
, 5F040FA10
, 5F040FB01
, 5F040FB03
, 5F040FB05
, 5F040FC06
, 5F040FC10
, 5F040FC19
, 5F040FC21
, 5F048AA01
, 5F048AA07
, 5F048AA09
, 5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB00
, 5F048BB05
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB13
, 5F048BC06
, 5F048BE03
, 5F048BF00
, 5F048BF02
, 5F048BF06
, 5F048BF07
, 5F048BF11
, 5F048BF16
, 5F048BG14
, 5F048DA24
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA29
, 5F048DA30
, 5F048DB01
, 5F048DB02
, 5F048DB03
, 5F048DB06
, 5F110AA03
, 5F110AA06
, 5F110AA16
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110EE32
, 5F110EE45
, 5F110EE50
, 5F110FF01
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG17
, 5F110GG32
, 5F110GG52
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HJ16
, 5F110HJ23
, 5F110HK05
, 5F110HK09
, 5F110HK21
, 5F110HK25
, 5F110HK27
, 5F110HK32
, 5F110HK39
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN35
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110QQ11
, 5F110QQ17
, 5F110QQ19
Return to Previous Page