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J-GLOBAL ID：200903035359781281

メタルプラグの形成方法

Inventor： 宮本 孝章 ,  角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201332
Publication number (International publication number)：1994053165
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 TiをSi上にCVD法によりClを含む材料ガスを用いて成膜する際に、ClのSiへの浸食を回避して、リーク電流の低減化をはかる。【構成】 半導体層上に開口したコンタクトホールに配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、その一例の製造工程図を図1A〜C及び図2A〜Cに示すように、コンタクトホール3の底部に薄い酸化膜10を形成した後、CVD法によりこのコンタクトホール3内にIVA族金属即ちTi、Zr又はHfの例えばTi層5を堆積して、配線層を被着形成する。

Claim (excerpt)：

半導体層上に開口したコンタクトホールに配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、上記コンタクトホールの底部に薄い酸化膜を形成した後、化学気相成長法により上記コンタクトホール内にIVA族金属を堆積して、配線層を被着形成することを特徴とするメタルプラグの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90