半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244267
Publication number (International publication number)：1998070154
Application date： Aug. 27, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のワイヤボンディング方式に比較して、薄型化及び小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 TABテープ7のリード電極3と半導体チップ1のチップ電極2とが、バンプ4、5を介して接合された半導体装置であり、前記TABテープ7側には低融点金属のボールバンプ5があらかじめ接合されており、半導体チップ1側のバンプ5と位置合わせした後に固定して低融点金属を溶融して接合する。前記低融点のボールバンプ5は錫、インジウムなどの純金属、もしくはその合金で、融点が500°C以下が好ましい。一方、半導体チップ1側のバンプ5は金、白金、銅、ニッケルなどの金属、もしくはその合金で、メッキ法、スタッドバンプ法、ボールバンプ法等の方法で形成し、半導体装置の小型化、薄型化を可能とすると同時に高信頼化を実現する。

Claim (excerpt)：

TABテープのリード電極と半導体チップのチップ電極とが接続されて成る半導体装置において、前記チップ電極と前記リード電極との接合部は、前記リード電極側は低融点金属のボールバンプで形成され、前記チップ電極側は前記リード電極側の低融点金属の融点よりも所定温度以上高い融点を有する金属のバンプで形成されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-266035
リードへのバンプ接合方法およびバンプ載置容器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-085939 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開昭62-025435

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