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J-GLOBAL ID：200903035363984383
多層配線形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333340
Publication number (International publication number)：1997181171
Application date： Dec. 21, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エッチバックにより接続孔内にコンタクトプラグを形成する際の、ローディング効果によるプラグロスを防止する。【解決手段】 高融点金属層5をエッチバックすると、層間絶縁膜2表面からコンタクトプラグ表面が落ち込みプラグロスが生じる。この段階でコンタクトプラグ上にエッチングストッパ層12を形成しつつ、層間絶縁膜2をプラグロスに相当する厚さだけ選択的にエッチバックしてプラグロスを解消する。単極式静電チャックによる基板チャッキング方式の場合には、残留電荷の除電ステップと層間絶縁膜のエッチバックとを同時処理してもよい。【効果】 コンタクトプラグの平坦化により、上層配線のステップカバレッジが改善され、高信頼性の多層配線構造が実現できる。同時処理の場合には製造工程のスループットが向上する。
Claim (excerpt)：
導電材料層上の層間絶縁膜に、前記導電材料層に臨む接続孔を開口する工程、前記接続孔内を埋め込み、さらに前記層間絶縁膜上全面にコンタクトプラグ材料層を形成する工程、前記コンタクトプラグ材料層をエッチバックして前記接続孔内にコンタクトプラグを形成する工程を有する多層配線形成方法において、前記コンタクトプラグ材料層を前記接続孔内にのみ残すエッチバック工程に引き続き、前記層間絶縁膜をエッチバックする工程を有することを特徴とする、多層配線形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
, H01L 21/302 L
, H01L 21/88 K
