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J-GLOBAL ID：200903035368140884

半導体装置の製造方法

Inventor： 三輪 浩之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134301
Publication number (International publication number)：1993304261
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 エッチングされて欲しくないアクティブ領域部までのエッチングを防止し、微細加工適性を維持しつつ、サイズ増大による寄生容量の増大、集積度の低下を防止して、バイポーラトランジスタ部の特性の向上を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 バイポーラトランジスタ及びMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、バイポーラトランジスタ形成領域を、MOSトランジスタのゲート形成時に、ゲート形成材料32で被覆するとともに、本ゲート形成材料を、バイポーラトランジスタのベース電極として用いる。

Claim (excerpt)：

バイポーラトランジスタ及びMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法において、前記バイポーラトランジスタ形成領域を、前記MOSトランジスタのゲート形成時に、ゲート絶縁膜及びゲート形成材料で被覆する工程と、前記バイポーラトランジスタ形成領域及び、前記MOSトランジスタのゲート形成領域以外の前記ゲート形成材料を除去する工程と、層間絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜及びゲート形成材料とで被覆されたところのバイポーラトランジスタ形成領域中の少なくとも一部領域の層間絶縁膜及びゲート形成材料及びゲート絶縁膜を除去することにより、開口部を設ける工程と、前記開口部内に絶縁膜のサイドウォールを形成する工程と、前記開口部内に導電体を埋め込む工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 27/06 321 B ,  H01L 27/06 321 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-088666
  
• 特開昭63-133571
  
• 特開平3-012961