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J-GLOBAL ID：200903035394316303

フォトレジストイメージ形成プロセスおよび集積回路

Inventor： グレゴリー ブレイタ ,  ニコラス ジェフリーズ クレカック ,  ウイリアム ダイナン ヒンスバーグ サード ,  ドナルド クリフォード ホウファー ,  ヒロシ イトウ ,  スコット アーサー マクドナルド ,  ラットマン スリジャクマラン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275953
Publication number (International publication number)：1995312331
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 集積回路製造に使用するリソグラフイのイメージ現像プロセスの改善およびフォトレジストフィルムを空中の化学汚染物質から保護するプロセス。【構成】 基板上にフォトレジストイメージを形成するプロセスにおいて、基板をビニル重合体、感光性酸発生子、および酸不安定基よりなる重合体フィルムでコーティングし、フィルムを重合体のガラス転移温度より約20°C低い温度より高く、酸不安定基の開裂温度より低い温度で加熱し、フィルムを放射線で露光し、露光後のフィルムを110°C以上の温度で加熱し、イメージを現像する。露光前および露光後の加熱ステップの組み合わせは、基板にレジストイメージを生成するプロセス中での空気中の化学汚染物質からレジストフィルムを保護し、現像されたイメージに高解像度でコントラストの高いイメージを提供する。

Claim (excerpt)：

基板上にフォトレジストイメージを形成するプロセスで、上記プロセスは、ビニル重合体、感光性酸発生子、および酸不安定基よりなる重合体フィルムで上記基板をコーティングし、上記フィルムを、上記重合体のガラス転移温度より約20°C低い温度より高く、上記酸不安定基の開裂温度より低い温度で加熱し、上記フィルムに放射線でイメージを露光し、遊離酸を発生させ、上記フィルムを約110°C以上の温度で加熱し、イメージを現像することよりなるプロセス。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/47

FI (3)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 571

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-212159
  
• 特開平4-204848
  
• 特開平3-198059
  
• 特開昭63-027829
  
• 特開昭61-210348