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J-GLOBAL ID：200903035405971341

スピン依存伝達特性を有する電界効果トランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

Inventor： 菅原 聡 ,  田中 雅明
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (2)： 片山 修平 ,  横山 照夫
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004000567
Publication number (International publication number)：WO2004079827
Application date： Jan. 23, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

ゲート電圧VGSの印加によって、強磁性ソースにおける金属的スピンバンドによるショットキー障壁幅が減少し、この金属的スピンバンドからのアップスピン電子がチャネル領域にトンネル注入される。このとき強磁性ソース3aの半導体的スピンバンドによるエネルギー障壁により非磁性コンタクト3bからダウンスピン電子は注入されない。すなわち、強磁性ソース3aからはチャネル層へアップスピン電子のみが注入される。強磁性ソース3aと強磁性ドレイン5aとが平行磁化の場合では、アップスピン電子は強磁性ドレインの金属的スピンバンドを伝導してドレイン電流となるが、反平行磁化を持つ場合では、アップスピン電子は強磁性ドレイン5aにおける半導体的スピンバンドによる高さΔEcのエネルギー障壁よって強磁性ドレイン5aを伝導することができない。 上記動作原理のMISFETに基づき、高性能・高集積密度の不揮発性メモリを構成することができる。

Claim (excerpt)：

スピン偏極した伝導キャリア(以下、「スピン偏極伝導キャリア」と称する。)を注入する強磁性体からなるソース(以下、「強磁性ソース」と称する。)と、 該強磁性ソースから注入されたスピン偏極伝導キャリアを受ける強磁性体からなるドレイン(以下、「強磁性ドレイン」と称する。)と、 前記強磁性ソースと前記強磁性ドレインとの間に設けられ、前記強磁性ソース及び前記強磁性ドレインとのそれぞれの接合界面においてショットキー障壁を有するショットキー接合を形成する半導体層と、 前記半導体層に対して形成されるゲート電極と を有するトランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/82 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/417

FI (9)：

H01L29/82 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 622 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/50 M

F-Term (50)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110BB13 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F140AA00 ,  5F140AC16 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD11 ,  5F140BH22 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ00 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK12 ,  5F140BK32