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J-GLOBAL ID：200903035414157762

高周波用薄膜コンデンサ

Inventor： 猪鼻武司
Applicant, Patent owner： 多摩電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992223192
Publication number (International publication number)：1994053072
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高周波用薄膜コンデンサにおいてワイヤーボンディングでの熱ストレスを減少させるためのコンデンサ構造、および大容量コンデンサを高い歩留まりで得る。【構成】 基板5上に下部電極4を全面に形成する。次に誘電体薄膜3を作製し、中心部分をくり抜いたリング状のパタンを形成する。その後この中心のホール部分を埋めるように絶縁層2を形成する。さらにこの上に上部電極1を形成する。最後に基板裏面をグランドとするために金蒸着膜6を全面に形成する。このように、誘電体薄膜中心のホール部分に絶縁層を形成し、この絶縁層上の上部電極パッドにワイヤーボンディングを行うことによって、誘電体薄膜に加わる熱ストレスを大幅に減少させることができ、ショート不良はほぼゼロになる。

Claim (excerpt)：

電気伝導性基板上に下部電極、誘電体薄膜、上部電極を形成してなる薄膜コンデンサにおいて、リング状の誘電体薄膜中心のホール部分を埋めるように絶縁層を形成し、その上に上部電極ボンディングパッドを作製することによって、ワイヤーボンディング時の熱ストレスが誘電体薄膜に加わり難くすることを特徴とするコンデンサ構造。

IPC (3)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 1/015 ,  H01G 1/08