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J-GLOBAL ID：200903035419168509

光起電力素子

Inventor： 斉藤 恵志 ,  佐野 政史 ,  林 享 ,  殿垣 雅彦 ,  狩谷 俊光 ,  松田 高一 ,  岡田 直人 ,  近藤 隆治 ,  西元 智紀 ,  西尾 豊
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992231315
Publication number (International publication number)：1994061514
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、過酷な環境下においても高い初期特性を長期間に渡り維持し得る光起電力素子を提供することを目的とする。また、高い歩留まりで大量生産可能な光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 導電性基板101上に、光反射層102、光反射増加層103、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるn型層104、i型層105及びp型層106、及び透明電極107を積層して構成される光起電力素子において、前記光反射層102はAlとSi原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子、炭素原子またはアルカリ金属原子の内少なくとも1つを含有していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に、光反射層、光反射増加層、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるn型層、i型層及びp型層、及び透明電極を積層して構成される光起電力素子において、前記光反射層はAlとSi原子を主構成元素とし、酸素原子、窒素原子、炭素原子またはアルカリ金属原子の内少なくとも1つを含有していることを特徴とする光起電力素子。